GaN基激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙慧卿; 张和伟; 郭志友 |
| 发表日期 | 2019-02-15 |
| 专利号 | CN109346923A |
| 著作权人 | 华南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种GaN基激光器及其制备方法，其包括叠置于衬底表面的n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、p型限制层以及p型接触层，其特征在于，还包括，位于所述n型波导层与所述有源区之间的n型空穴阻挡层，位于所述p型波导层与所述p型限制层之间的p型电子阻挡层，所述P型波导层、P型电子阻挡层、P型限制层以及P型接触层构成脊台结构。本发明激光器在p型波导层与限制层之间形成高的势垒，有效阻止电子泄漏到有源区以外靠近p区的位置；且在n型波导层和有源区之间形成高的势垒，从而有效阻止空穴泄漏到有源区以外靠近n区的位置，降低GaN基紫外激光器的阈值电流，提高功率和光电转换效率。 |
| 公开日期 | 2019-02-15 |
| 申请日期 | 2018-11-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92329]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙慧卿,张和伟,郭志友. GaN基激光器及其制备方法. CN109346923A. 2019-02-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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