SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 舒斌; 高玉龙; 张利锋; 胡辉勇; 王斌; 王利明; 韩本光; 张鹤鸣 |
| 发表日期 | 2019-03-08 |
| 专利号 | CN109449757A |
| 著作权人 | 西安电子科技大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si1‑xGex层；在p型Si1‑xGex层的表面形成SiN层；将SiN层的中间区域刻蚀掉，使两端的SiN层和底部的p型Si1‑xGex层形成一凹槽；在凹槽内形成n型Ge层，且n型Ge层的厚度与SiN层的厚度相同；在SiN层表面和n型Ge层的表面形成n型Si1‑xGex层；在n型Si1‑xGex层的表面形成Si帽层；在Si帽层上形成电极。本发明的SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器又具有较高的光电转换效率和较低的阈值电流密度，光稳定性好；其制备方法既能够兼容CMOS工艺，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。 |
| 公开日期 | 2019-03-08 |
| 申请日期 | 2018-09-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92341]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒斌,高玉龙,张利锋,等. SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法. CN109449757A. 2019-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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