可提高量子阱光吸收率的激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭志友; 张骏; 孙慧卿 |
| 发表日期 | 2019-03-08 |
| 专利号 | CN109449759A |
| 著作权人 | 华南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 可提高量子阱光吸收率的激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种可提高量子阱光吸收率的激光器及其制备方法，其激光器包括：依次层叠于n型GaN衬底上的n型金属层、n型GaN缓冲层、n型下限制层、n型下波导层、量子阱层、p型上波导层、p型上限制层、p型GaN接触层、p型金属层，其中，在所述量子阱层中周期排列有洋葱状的碳小球。所述洋葱状的碳小球直径为0.7‑0nm。本发明通过将周期性排列的洋葱状的碳小球设置于量子阱中，形成表面等离子激元效应，从而对泵浦源对应波长形成吸收增强，而特定波长的吸收增强不会对产生的激光形成影响。对泵浦光的利用率增加使得有源区的焦耳热大幅降低，有效地延长了激光器的使用寿命。 |
| 公开日期 | 2019-03-08 |
| 申请日期 | 2018-11-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92343]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭志友,张骏,孙慧卿. 可提高量子阱光吸收率的激光器及其制备方法. CN109449759A. 2019-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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