集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法
文献类型:专利
作者 | 王永进; 高绪敏; 施政; 袁佳磊; 秦川; 蔡玮 |
发表日期 | 2019-03-12 |
专利号 | CN109462145A |
著作权人 | 南京邮电大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法 |
英文摘要 | 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法,该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件与光波导,所述光波导一端与p‑n结量子阱器件相连,另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器,可以通过调控微腔结构,实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
公开日期 | 2019-03-12 |
申请日期 | 2018-12-07 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92350] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 南京邮电大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永进,高绪敏,施政,等. 集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法. CN109462145A. 2019-03-12. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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