一种氮化镓激光器巴条解理的方法
文献类型：专利
| 作者 | 邓泽佳; 谢武泽; 王文杰; 李俊泽; 杨浩军; 廖明乐; 李沫 |
| 发表日期 | 2019-03-22 |
| 专利号 | CN109510061A |
| 著作权人 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氮化镓激光器巴条解理的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化镓激光器巴条解理的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域，该方法通过深刻蚀出宽解理导向槽以及V型窄导向槽，使得刻蚀深度能够穿透整个外延层，再进行背面减薄、刻蚀、电极生长工艺，再通过激光切割与Loomis解理机滚轮的方法在样品正面进行解理，从而获得巴条腔面，目的是在于对巴条解离提供了更强的指向性，大大提高了巴条解离的成功率，并且能够产生更平滑的腔面，可以应用于氮化镓激光器的生产和制造领域。 |
| 公开日期 | 2019-03-22 |
| 申请日期 | 2018-12-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92359]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓泽佳,谢武泽,王文杰,等. 一种氮化镓激光器巴条解理的方法. CN109510061A. 2019-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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