硅基混合集成激光器阵列及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 郑婉华; 王海玲; 王明金; 石涛; 孟然哲 |
| 发表日期 | 2019-04-02 |
| 专利号 | CN109560462A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 硅基混合集成激光器阵列及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种硅基混合集成激光器阵列及其制备方法。硅基混合集成激光器阵列包括：制作在SOI基底和III‑V半导体外延层上的多个平行排布的硅基混合集成激光器；其中，每个硅基混合集成激光器包括：硅脊波导；导热层，位于硅脊波导两侧的特定区域内，该特定区域为SOI基底去除顶层硅和埋氧层之后获得的区域；本征层，形状为马鞍形，包括两端的突出部和连接部，其中一两端的突出部覆盖于导热层上方；本征层连接部上依次有N型波导层、有源区、P型盖层；III‑V波导，由III‑V半导体外延层图案化形成，与硅脊波导相连接；P型欧姆接触层，P电极以及N电极。散热性好，制备工艺简单稳定、重复性好、制作成本低。 |
| 公开日期 | 2019-04-02 |
| 申请日期 | 2017-09-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92368]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,王海玲,王明金,等. 硅基混合集成激光器阵列及其制备方法. CN109560462A. 2019-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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