电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 于红艳; 杨文宇; 潘教青; 王圩 |
| 发表日期 | 2019-04-16 |
| 专利号 | CN109638648A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种电注入硅基III‑V族边发射纳米线激光器的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅层，在所述二氧化硅层上刻蚀矩形沟槽；在矩形沟槽下方的所述SOI衬底的顶层硅中腐蚀v形沟槽，与所述矩形沟槽连通形成连通沟槽；在所述连通沟槽中生长硅基III‑V族边发射纳米线激光器的外延结构；在所述硅基III‑V族边发射纳米线激光器上制备金属电极图形。本发明为在SOI衬底上外延的III‑V族纳米线材料提供了实现电注入的工艺方法，同时所制备的电极可以用于测试硅基III‑V族边发射纳米线激光器动态特性。 |
| 公开日期 | 2019-04-16 |
| 申请日期 | 2019-01-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92377]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亚节,周旭亮,王梦琦,等. 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法. CN109638648A. 2019-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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