一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 关宝璐; 张成龙; 杨悦; 吴宇辰 |
| 发表日期 | 2019-05-31 |
| 专利号 | CN109830886A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法，属于光学技术领域。包括半导体衬底，半导体增益谐振腔，绝缘介质层(3)，金属包裹层，在半导体衬底上有半导体增益谐振腔阵列，即在半导体衬底和半导体增益谐振腔阵列的表面设有绝缘介质层，绝缘介质层将每个半导体增益谐振腔包裹，同时绝缘介质层还保持半导体增益谐振腔阵列的图形，即形成半导体增益谐振腔‑绝缘介质层阵列，在绝缘介质层上设有金属包裹层，同时金属包裹层还填充了绝缘介质层上的阵列图形。本发明相邻谐振腔之间的表面等离子模式(倏逝波)相互之间可以进行互相耦合，从而提高了纳米激光器的性能，并实现超高密度等离子体激光器面阵输出。 |
| 公开日期 | 2019-05-31 |
| 申请日期 | 2019-03-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92400]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关宝璐,张成龙,杨悦,等. 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法. CN109830886A. 2019-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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