一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗 |
| 发表日期 | 2019-06-04 |
| 专利号 | CN109841501A |
| 著作权人 | 深圳第三代半导体研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构及其制备方法，包括：在衬底上生长半极性氮化镓薄膜；控制腔体环境，在半极性氮化镓薄膜上生长二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构。半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率、更稳定、更高光效的紫光波段到红外光波段发光二极管、激光器、光电探测器与太阳能电池。 |
| 公开日期 | 2019-06-04 |
| 申请日期 | 2019-03-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92405]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳第三代半导体研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方志来,吴征远,田朋飞,等. 一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法. CN109841501A. 2019-06-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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