一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 梁锋 |
| 发表日期 | 2019-06-07 |
| 专利号 | CN109860044A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法，制备方法包括：步骤1：制备衬底(10)；步骤2：在衬底(10)上外延生长掺镁的GaN层；步骤3：对掺镁的GaN层进行退火，激活掺镁的GaN层中的镁受主，使得掺镁的GaN层转变为p型GaN层(11)；步骤4：在p型GaN层(11)上外延生长p++型GaN盖层(12)。通过在p型GaN层上再生长重掺杂的p++型GaN盖层，且重掺杂的p++型GaN盖层不进行高温退火，从而改善外延片欧姆接触层质量，降低p型材料与金属接触的比接触电阻率。 |
| 公开日期 | 2019-06-07 |
| 申请日期 | 2019-01-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92406]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,朱建军,等. 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法. CN109860044A. 2019-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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