一种半导体发光器件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 钟志白; 李佳恩; 连燕玲; 卓昌正; 徐宸科; 康俊勇; 苏住裕 |
| 发表日期 | 2019-06-07 |
| 专利号 | CN109860369A |
| 著作权人 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体发光器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时，首先对牺牲层进行刻蚀，牺牲层能够吸收激光的能量，作为能量缓冲层和扩散层，避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下，牺牲层被激光灼烧掉，不会存留对半导体发光器件产生影响的残留物，不会对半导体发光器件的性能产生影响。 |
| 公开日期 | 2019-06-07 |
| 申请日期 | 2019-03-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92407]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟志白,李佳恩,连燕玲,等. 一种半导体发光器件及其制备方法. CN109860369A. 2019-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。