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一种SOI混合集成激光器及其制备方法

文献类型:专利

作者陈思乡; 宋泽; 张奇; 吕康伟; 唐山; 熊焰
发表日期2019-06-21
专利号CN109921282A
著作权人光联迅通科技集团有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种SOI混合集成激光器及其制备方法
英文摘要一种SOI混合集成激光器,包括SOI衬底、形成于SOI衬底上且相对设置的反射结构、位于反射结构之间的三五族有源区波导。通过在SOI衬底上制作的一维光子晶体波导实现三五族有源区波导与SOI衬底的硅波导层之间的耦合转换,并利用光子晶体的圆孔填充负折射率温度系数的聚合物材料,实现整体的折射率稳定,不随温度变化而改变,不需要使用TEC来控制温度,可极大降低了光模块/光器件的功耗,减小器件封装空间,有利于光器件通道速率扩容,便于全光互联技术的实现。
公开日期2019-06-21
申请日期2019-04-11
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92418]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位光联迅通科技集团有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
陈思乡,宋泽,张奇,等. 一种SOI混合集成激光器及其制备方法. CN109921282A. 2019-06-21.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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