一种SOI混合集成激光器及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 陈思乡; 宋泽; 张奇; 吕康伟; 唐山; 熊焰 |
发表日期 | 2019-06-21 |
专利号 | CN109921282A |
著作权人 | 光联迅通科技集团有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种SOI混合集成激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 一种SOI混合集成激光器,包括SOI衬底、形成于SOI衬底上且相对设置的反射结构、位于反射结构之间的三五族有源区波导。通过在SOI衬底上制作的一维光子晶体波导实现三五族有源区波导与SOI衬底的硅波导层之间的耦合转换,并利用光子晶体的圆孔填充负折射率温度系数的聚合物材料,实现整体的折射率稳定,不随温度变化而改变,不需要使用TEC来控制温度,可极大降低了光模块/光器件的功耗,减小器件封装空间,有利于光器件通道速率扩容,便于全光互联技术的实现。 |
公开日期 | 2019-06-21 |
申请日期 | 2019-04-11 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92418] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 光联迅通科技集团有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈思乡,宋泽,张奇,等. 一种SOI混合集成激光器及其制备方法. CN109921282A. 2019-06-21. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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