表面发射激光器器件和包括其的发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 姜镐在; 张正训 |
| 发表日期 | 2019-07-16 |
| 专利号 | CN110021875A |
| 著作权人 | LG 伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 表面发射激光器器件和包括其的发光器件 |
| 英文摘要 | 实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件。根据实施例的表面发射激光器器件包括：第一反射层和第二反射层；以及布置在第一反射层和第二反射层之间的有源区，其中第一反射层包括第一组第一反射层和第二组第一反射层，并且第二反射层包括第一组第二反射层和第二组第二反射层。第一组第二反射层可以包括：第二‑第一反射层，其具有第一铝浓度；第二‑第二反射层，其具有高于第一铝浓度的第二铝浓度并且布置在第二‑第一反射层的一侧上；以及第二‑第三反射层，其具有从第一铝浓度变化到第二铝浓度的第三铝浓度并且布置在第二‑第一反射层和第二‑第二反射层之间。 |
| 公开日期 | 2019-07-16 |
| 申请日期 | 2019-01-07 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92427]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG 伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜镐在,张正训. 表面发射激光器器件和包括其的发光器件. CN110021875A. 2019-07-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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