氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 藤原康文; 朱婉新; 小泉淳; 布兰登·米切尔; 汤姆·格雷戈尔凯维奇 |
| 发表日期 | 2019-07-19 |
| 专利号 | CN110036144A |
| 著作权人 | 国立大学法人大阪大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体基板的制造技术，其即使在蓝宝石等廉价基材上也能够大面积制造位错密度充分降低的氮化物半导体基板。一种氮化物半导体基板，其中，在基材上形成的氮化物半导体层通过非掺杂氮化物层与添加有稀土元素作为掺杂材料的稀土元素添加氮化物层进行层叠而形成，位错密度为106cm‑2数量级以下。一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用有机金属气相外延法，在900～1200℃的温度条件下，不从反应容器取出而通过一连串的形成工序来进行下述工序：使GaN、InN、AlN或这些之中的任意两种以上的混晶在基材上生长而形成非掺杂氮化物层的工序；以及形成添加有稀土元素从而置换Ga、In或Al的稀土元素添加氮化物层的工序。 |
| 公开日期 | 2019-07-19 |
| 申请日期 | 2017-11-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92428]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国立大学法人大阪大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤原康文,朱婉新,小泉淳,等. 氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件. CN110036144A. 2019-07-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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