光半导体装置的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口勉 |
| 发表日期 | 2019-07-23 |
| 专利号 | CN110050396A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半导体装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 在半导体衬底(1)之上形成脊构造(9)，该脊构造(9)具有脊下部(6)以及脊上部(8)，该脊上部(8)配置于脊下部(6)之上，具有比脊下部(6)宽的宽度。将脊构造(9)的凹陷部位(11)通过原子层沉积法而由绝缘膜(10)完全填埋，由此利用半导体衬底(1)、脊构造(9)以及绝缘膜(10)形成在侧面没有台阶的凸形状(19)，其中，脊构造(9)的凹陷部位(11)是由于脊下部(6)与脊上部(8)的宽度之差，脊下部(6)相对于脊上部(8)在横向内缩而产生的。 |
| 公开日期 | 2019-07-23 |
| 申请日期 | 2017-08-23 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口勉. 光半导体装置的制造方法. CN110050396A. 2019-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。