一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片及提高其解理合格率的方法
文献类型：专利
| 作者 | 万文坚; 黎华; 曹俊诚; 沈寒松; 沈文; 江建兴 |
| 发表日期 | 2019-07-23 |
| 专利号 | CN110048291A |
| 著作权人 | 江苏盖姆纳米材料科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片及提高其解理合格率的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片及提高其解理合格率的方法，属于半导体光电子器件技术领域。包括半导体衬底和激光器脊条，所述激光器脊条设于半导体衬底上方，所述激光器脊条包括上表面金属层、有源脊形结构和下表面金属层，所述上表面金属层设于有源脊形结构的上表面，所述下表面金属层设于有源脊形结构的下表面，所述半导体衬底上设有衬底金属层，所述下表面金属层与衬底金属层热压键合成一个整体，半导体衬底对激光器脊条起支撑和导电作用，所述激光器脊条的侧壁涂覆光刻胶，所述光刻胶延伸至上表面金属层和下表面金属层。本申请增强激光器脊条和衬底键合强度，提高激光器端面的解理合格率。 |
| 公开日期 | 2019-07-23 |
| 申请日期 | 2019-04-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92430]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏盖姆纳米材料科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万文坚,黎华,曹俊诚,等. 一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片及提高其解理合格率的方法. CN110048291A. 2019-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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