一种垂直面射型的激光结构及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 彭钰仁 |
| 发表日期 | 2019-07-23 |
| 专利号 | CN110048306A |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直面射型的激光结构及制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种垂直面射型的激光结构及制作方法，该垂直面射型的激光结构中，将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。该P型欧姆接触层的尺寸定义了增益限制尺寸，氧化层的未氧化区域的尺寸定义了光学限制尺寸，进而实现了将增益限制和光学限制分开独立控制的高功率单模激光结构。 |
| 公开日期 | 2019-07-23 |
| 申请日期 | 2019-05-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92431]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁. 一种垂直面射型的激光结构及制作方法. CN110048306A. 2019-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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