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垂直腔表面发射激光器

文献类型:专利

作者迪特尔·比姆伯格; 京特·拉里基; 詹姆斯·A·洛特
发表日期2019-08-06
专利号CN110100359A
著作权人柏林工业大学
国家中国
文献子类发明申请
其他题名垂直腔表面发射激光器
英文摘要本发明的实施例涉及一种垂直腔表面发射激光器,包括:第一反射器;第二反射器,该第二反射器包括半导体或隔离层的层堆叠;有源区,该有源区被布置在第一与第二反射器之间;以及在光输出侧的层堆叠的顶部上的附加层,所述附加层形成了激光器的输出界面,其中附加层的折射率小于所述层堆叠的折射率中的最小折射率。
公开日期2019-08-06
申请日期2018-01-05
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92437]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位柏林工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
迪特尔·比姆伯格,京特·拉里基,詹姆斯·A·洛特. 垂直腔表面发射激光器. CN110100359A. 2019-08-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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