垂直腔表面发射激光器
文献类型:专利
作者 | 迪特尔·比姆伯格; 京特·拉里基; 詹姆斯·A·洛特 |
发表日期 | 2019-08-06 |
专利号 | CN110100359A |
著作权人 | 柏林工业大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 垂直腔表面发射激光器 |
英文摘要 | 本发明的实施例涉及一种垂直腔表面发射激光器,包括:第一反射器;第二反射器,该第二反射器包括半导体或隔离层的层堆叠;有源区,该有源区被布置在第一与第二反射器之间;以及在光输出侧的层堆叠的顶部上的附加层,所述附加层形成了激光器的输出界面,其中附加层的折射率小于所述层堆叠的折射率中的最小折射率。 |
公开日期 | 2019-08-06 |
申请日期 | 2018-01-05 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92437] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 柏林工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 迪特尔·比姆伯格,京特·拉里基,詹姆斯·A·洛特. 垂直腔表面发射激光器. CN110100359A. 2019-08-06. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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