一种高功率半导体芯片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 谭少阳; 王俊; 徐红; 闵大勇 |
| 发表日期 | 2019-08-09 |
| 专利号 | CN110112650A |
| 著作权人 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高功率半导体芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高功率半导体芯片及其制备方法，该半导体芯片包括：自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、侧向光栅层、上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层；其中，侧向光栅层包括多组侧向光栅，多组侧向光栅沿第一方向依次设置，多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅包括多条光栅，多条光栅沿第二方向排布，第一方向与第二方向相交。通过在波导内设置侧向光栅层，提高了高阶光侧向模式在波导内的传播损耗，达到了抑制高阶光侧向模式激射的目的；设置多组周期不同的光栅，抑制了由于单一光栅增益调制和折射率调制引起的强度振荡光模式的激射，达到抑制侧向光强度周期振荡的作用，消除远场双峰。 |
| 公开日期 | 2019-08-09 |
| 申请日期 | 2019-05-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92440]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭少阳,王俊,徐红,等. 一种高功率半导体芯片及其制备方法. CN110112650A. 2019-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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