基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 姬小利; 谭晓宇; 魏同波; 王军喜; 杨富华; 李晋闽 |
| 发表日期 | 2019-08-30 |
| 专利号 | CN110190511A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1‑x)N层和多孔AlyGa1‑yN层。本发明还提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，在衬底上沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及交替堆叠多周期的Alx(Ga1‑x)N薄膜和AlyGa1‑yN薄膜，然后进行光电化学刻蚀，通过光电化学反应的带隙选择性将AlGaN层多孔化，形成基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 申请日期 | 2019-05-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92458]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姬小利,谭晓宇,魏同波,等. 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法. CN110190511A. 2019-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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