一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 蔡玮; 韩冰; 王新迪 |
| 发表日期 | 2019-09-13 |
| 专利号 | CN110233427A |
| 著作权人 | 南京工程学院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法，使用电感耦合等离子体反应离子刻蚀技术在硅衬底氮化镓晶圆上表面经过两次刻蚀形成三层阶梯状台阶；使用磁控溅射技术在三层阶梯状台阶中间台面和下台面同时蒸镀形成p型电极和n型电极；使用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀u‑GaN层获得高Q值光子晶体纳米腔；再使用PDMS将增益介质WS2单层膜转印到光子晶体纳米腔表面，WS2单层膜上下表面旋涂CYTOP进行双面封装。在电流注入下，InGaN/GaN量子阱MQWs层自发辐射发出的蓝光经光子晶体纳米腔及WS2单层膜增益后形成红色激光并沿着器件表面法线方向出射。 |
| 公开日期 | 2019-09-13 |
| 申请日期 | 2019-06-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92462]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡玮,韩冰,王新迪. 一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法. CN110233427A. 2019-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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