一种宽温度范围的DFB激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 单智发; 张永; 姜伟; 陈阳华 |
| 发表日期 | 2019-09-17 |
| 专利号 | CN110247301A |
| 著作权人 | 全磊光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种宽温度范围的DFB激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种宽温度范围的DFB激光器，该DFB激光器的外延层结构包括非InP基板，所述非InP基板上依次层叠设置有N型连接层、光栅掩埋层、N型光栅层、N型限制层、下波导层、量子阱、上波导层、P型上限制层、P型腐蚀阻挡层、P型连接层、第一P型势垒渐变层、第二P型势垒渐变层和P型欧姆接触层。该激光器所采用的光栅为N型半导体材料，使得N光栅的DFB激光器具有更低的激射阈值和更小的寄生电阻，可在更宽的温度范围内工作；采用采用倒装式外延生长方式，先生长P型层，再生长N型光栅制作层，量子阱层在制备光栅层之前的处延过程中生长，材料界面平整，材料质量好，缺陷密度小。 |
| 公开日期 | 2019-09-17 |
| 申请日期 | 2019-07-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92464]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 全磊光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发,张永,姜伟,等. 一种宽温度范围的DFB激光器及其制备方法. CN110247301A. 2019-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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