半导体器件芯片结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 曼玉选; 祁琼; 彭岩; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2019-09-24 |
| 专利号 | CN110277733A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件芯片结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本公开提供了一种半导体器件芯片结构及其制备方法，其中，所述半导体器件芯片结构的制备方法，包括以下步骤：在半导体外延片上形成光刻胶掩膜，并通过曝光后显影形成周期性结构；刻蚀去除无光刻胶掩蔽区域的部分外延层，在半导体外延片上形成脊形台面结构；在形成有脊形台面结构的所述半导体外延片的表面上沉积电绝缘介质层；去除所述脊形台面上的电绝缘介质，制作出电流注入窗口；以及在半导体外延片上形成P型电极和N型电极，由此完成半导体器件芯片结构的制备。本公开半导体器件芯片结构及其制备方法，在确保器件性能良好的前提下，简化了半导体器件的制备流程，提高了制备时效。 |
| 公开日期 | 2019-09-24 |
| 申请日期 | 2018-03-14 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92472]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曼玉选,祁琼,彭岩,等. 半导体器件芯片结构及其制备方法. CN110277733A. 2019-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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