面発光型半導体レーザアレイ
文献类型：专利
| 作者 | 櫻井 淳; 坂本 朗; 乙間 広己; 植木 伸明 |
| 发表日期 | 2007-03-08 |
| 专利号 | JP2007059672A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザアレイ |
| 英文摘要 | 【課題】 広がり角低減、高出力、および低抵抗の全てを両立してレーザ光の横モード制御を行う面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 VCSEL100は、n型の下部DBR層106、活性領域108、及び下部DBR層106とともに共振器を構成するp型の上部DBR層110が順次積層された半導体基板102と、上部DBR層110の上部に設けられ、且つ活性領域108で発生したレーザ光の出射領域を形成する開口部120が形成された上部電極118と、上部電極118と下部DBR層106との間に設けられ電流経路の周縁部に酸化領域114aが形成された電流狭窄領層114と、上部電極118に電気的に接続され、開口部120より内側に開口部124を有する半透明電極122とを有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-03-08 |
| 申请日期 | 2005-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92480]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫻井 淳,坂本 朗,乙間 広己,等. 面発光型半導体レーザアレイ. JP2007059672A. 2007-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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