半导体器件的制造方法、半导体器件、通信设备和半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 谷口英广; 行谷武; 片山悦治 |
| 发表日期 | 2010-10-20 |
| 专利号 | CN101868888A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件的制造方法、半导体器件、通信设备和半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种在结构中包括半导体层和其上堆积的电介质层的半导体器件的制造方法，包括：半导体层形成步骤，形成半导体层；表面处理步骤，对于所述半导体层形成步骤中形成的所述半导体层的表面，实施用于除去残留碳化合物的表面处理；电介质膜形成步骤，在所述表面处理步骤中实施过表面处理的半导体层的表面的至少一部分，以对应于所述表面处理后的表面状态的堆积条件，形成电介质膜；热处理步骤，通过对所述电介质膜形成步骤中形成了电介质膜的所述半导体层实施热处理，使所述半导体层的至少一部分区域的结晶状态改变。由此，可以使电介质膜的作用充分发挥。 |
| 公开日期 | 2010-10-20 |
| 申请日期 | 2008-11-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92484]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷口英广,行谷武,片山悦治. 半导体器件的制造方法、半导体器件、通信设备和半导体激光器. CN101868888A. 2010-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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