高输出红色半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 中原健; 石川努 |
| 发表日期 | 2008-10-08 |
| 专利号 | CN101283493A |
| 著作权人 | 罗姆股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高输出红色半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种高输出红色半导体激光器，其改善散热特性抑制激光器元件的温度上升，无需增大元件的散热面积。该发明在倾斜n－GaAs衬底(2)上层叠有n－AlGaInP包层(3)、AlGaInP光导层(4)、MQW有源层(5)、AlGaInP光导层(6)、p－AlGaInP第1包层(7)、AlGaInP蚀刻停止层(8)、n－AlGaInP阻挡层(11)、p－AlGaAs第2包层(9)、p－GaAs接触层(10)、p电极(12)，在n－GaAs衬底(2)的背面形成有n电极(1)。由于第2包层(9)把热传导率良好的AlGaAs作为其成分，因此可以提高激光器元件的散热特性。 |
| 公开日期 | 2008-10-08 |
| 申请日期 | 2006-08-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92526]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 罗姆股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原健,石川努. 高输出红色半导体激光器. CN101283493A. 2008-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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