半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 西川透 |
| 发表日期 | 2006-12-27 |
| 专利号 | CN1885646A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明揭示一种半导体激光装置。形成以激光照射方向为前方，并从前方依序配置模压成型衬垫(104)的前端面、树脂模块体(106)的前端面、半导体激光元件(101)的前端面的结构，将从半导体激光元件(101)的前端面到模压成型衬垫(104)的前端面的距离做成能够使被模压成型衬垫(104)阻挡的激光的被阻挡量为小于等于规定值的规定的长度，这样能够将模压成型衬垫(104)最大限度地延伸到半导体激光元件(101)的前方，因此能够确保适于安装薄型而且具有高输出的半导体激光元件的优异的散热性能。 |
| 公开日期 | 2006-12-27 |
| 申请日期 | 2006-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92544]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川透. 半导体激光装置. CN1885646A. 2006-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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