氮化物半导体激光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宫地护; 太田启之 |
| 发表日期 | 2002-11-13 |
| 专利号 | CN1379517A |
| 著作权人 | 日本先锋公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种具有优异光学特性的III族氮化物半导体激光器件及其制造方法。该方法并不包括需要高装配精度的步骤。该III族氮化物半导体激光器件包括具有切开部分的衬底。一个多层体的激光面位于该衬底的该切开部分之附近。 |
| 公开日期 | 2002-11-13 |
| 申请日期 | 2002-04-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92555]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本先锋公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宫地护,太田启之. 氮化物半导体激光器件及其制造方法. CN1379517A. 2002-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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