表面发射半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 植木伸明; 乙间广己; 村上朱实; 坂本朗 |
| 发表日期 | 2003-11-05 |
| 专利号 | CN1453911A |
| 著作权人 | 富士施乐株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 表面发射半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 表面发射半导体激光器包括：衬底；具有设置在衬底上并在其顶表面上具有接触区的第一柱体结构的激光器部分；以及具有设置在衬底上的第二柱体结构的电极部分。电极部分包括与接触区电连接并从其中延伸的导电层。 |
| 公开日期 | 2003-11-05 |
| 申请日期 | 2003-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92610]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士施乐株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植木伸明,乙间广己,村上朱实,等. 表面发射半导体激光器及其制造方法. CN1453911A. 2003-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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