垂直共振器型面発光半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 石井 亮次; 中山 秀生; 桑田 靖章; 乙間 広己 |
| 发表日期 | 2005-09-15 |
| 专利号 | JP2005252240A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 ESD等の高電圧から内部素子を保護することが可能な面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明に係る選択酸化型のメサを含むVCSEL(面発光型半導体レーザ)10は、基板100と、前記基板100上に形成され、レーザ光を出射する少なくとも1つのメサを含む第1のメサ20と、前記基板100上に形成され、レーザ光の出射を抑制する少なくとも1つのメサを含む第2のメサ30とを有する。第2のメサを設けることで酸化アパーチャー面積を増加させ、ESDに対する耐圧を高くする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-09-15 |
| 申请日期 | 2005-01-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92624]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 亮次,中山 秀生,桑田 靖章,等. 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置. JP2005252240A. 2005-09-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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