半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 藏本恭介 |
| 发表日期 | 2008-04-09 |
| 专利号 | CN101160700A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 减小穿透位错部的电流泄漏，由此，可得到静电耐压较高、应对电源电涌较强并且长期可靠性也较高的半导体激光器。该半导体激光器包括：具有位错密度为1×105cm－2以上的高位错区域的衬底；设置在衬底上且具有活性层的半导体晶体；设置在半导体晶体上的绝缘膜；表面电极，设置在绝缘膜上，为对活性层注入电流而与半导体晶体导通；设置在衬底下的背面电极，其中，将激光共振器长设为L时，表面电极的面积为120×Lμm2以下。 |
| 公开日期 | 2008-04-09 |
| 申请日期 | 2006-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92652]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藏本恭介. 半导体激光器. CN101160700A. 2008-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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