半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 西口晴美; 八木哲哉; 吉田保明 |
| 发表日期 | 2007-03-21 |
| 专利号 | CN1306669C |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n-GaAs衬底1的上边，顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-AlxGa1-xAs-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-AlxGa1-xAs-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。 |
| 公开日期 | 2007-03-21 |
| 申请日期 | 2003-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西口晴美,八木哲哉,吉田保明. 半导体激光器. CN1306669C. 2007-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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