非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 哲也; イン-ラン·チャン; ディビッド·ピー·ブール; マイケル·エイチ·リアリー; マイケル·アール·ティ·タン |
| 发表日期 | 2003-10-17 |
| 专利号 | JP2003298187A |
| 著作权人 | アジレント·テクノロジーズ·インク |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 MOCVD処理を用いて製造される多種の非対称InGaAsN VCSEL構造を提供する。非対称構造を用いることにより、量子井戸活性領域のアルミニウム汚染を効率的に排除する。 【解決手段】 基板320と、前記基板上に形成された複数の半導体層と、量子井戸活性層350を含む前記半導体層の1つと、前記量子井戸活性層の一方の側に配置されたAlを含む第1の反射器330及び前記量子井戸活性層の反対側に配置された第2の反射器390とを含んでなり、前記半導体層の1つが窒素を含む不活性層336であり、窒素を含む前記不活性層が前記量子井戸活性層と前記基板との間に配置されている非対称垂直空胴表面放出レーザ構造とする。 |
| 公开日期 | 2003-10-17 |
| 申请日期 | 2003-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92754]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アジレント·テクノロジーズ·インク |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 哲也,イン-ラン·チャン,ディビッド·ピー·ブール,等. 非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ. JP2003298187A. 2003-10-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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