面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮本 育昌 |
| 发表日期 | 2007-06-14 |
| 专利号 | JP2007150009A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 チッピングによるレーザ素子の寿命低下を抑制することができる面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 VCSEL100は、GaAs基板102と、基板102上に形成されたn型の下部半導体多層膜106と、活性層108と、p型の上部半導体多層膜110と、上部半導体多層膜110と電気的に接続された電極パッド118とを含み、さらに、少なくともポストPの発光部を取り囲むように形成された内側の溝120と、内側の溝120よりも外周に形成された外周溝134とを有している。外周溝134は、チッピングによるクラックの内部への進行等を抑制する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-06-14 |
| 申请日期 | 2005-11-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92766]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮本 育昌. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2007150009A. 2007-06-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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