一种具有二次谐振腔的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 林志伟; 陈凯轩; 张永; 卓祥景; 姜伟; 汪洋; 童吉楚; 方天足 |
| 发表日期 | 2016-10-12 |
| 专利号 | CN106025793A |
| 著作权人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有二次谐振腔的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器，衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层、有源区、第一上波导层和第二型导电层；缓冲层与第一型导电层之间通过外延生长设置一层第二下波导层，第二型导电层上通过外延生长设置一层第二上波导层。本发明采用匹配性材料Al(1‑x)HfxN直接外延生长,通过Al(1‑x)HfxN具有金属反射作用,形成二次谐振腔,有效提高半导体激光器的锁模及光效，同时提高激光的响应时间。 |
| 公开日期 | 2016-10-12 |
| 申请日期 | 2016-07-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92789]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林志伟,陈凯轩,张永,等. 一种具有二次谐振腔的半导体激光器. CN106025793A. 2016-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。