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半导体激光装置

文献类型:专利

作者吉田保明
发表日期2010-06-02
专利号CN101262121B
著作权人三菱电机株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光装置
英文摘要本发明提供一种在涂敷膜和半导体之间具备容易形成的粘合层的半导体激光装置。半导体激光装置具备:沿激光的行进方向设置的谐振器、设于谐振器的一端且射出激光的前端面(8)、设于谐振器的另一端的后端面(9)。在前端面(8)和后端面(9)上分别形成有粘合层(21)、(23),和涂敷膜(22)、(24)。粘合层(21)、(23)最好由Al、Ti、Nb、Zr、Ta、Si或Hf的阳极氧化膜构成,且厚度为10nm以下。
公开日期2010-06-02
申请日期2008-03-07
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92806]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
吉田保明. 半导体激光装置. CN101262121B. 2010-06-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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