半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 高山彻; 永井洋希; 佐藤仁; 佐藤智也; 木户口勋 |
| 发表日期 | 2009-11-18 |
| 专利号 | CN101582564A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种可进行红色和红外发光的半导体激光器装置，能够避免输出和特性的恶化，缩小元件幅度。半导体激光器装置(50)在基板(10)上具有红色激光器元件(1)和红外激光器元件(2)。红色激光器元件(1)具备双异质结构，InGaP类或AlGaInP类的活性层(13)被第(1)导电型包覆层(12)和有脊(14a)的第2导电型包覆层(14)夹持；红外激光器元件(2)具备双异质结构，GaAs类或AlGaAs类的活性层(23)被第1导电型包覆层(22)和有脊(24a)的第2导电型包覆层(24)夹持。当第1电极(31)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W1，第2电极(32)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W2时，满足W1＞W2以及80μm≥W2≥60μm的关系。 |
| 公开日期 | 2009-11-18 |
| 申请日期 | 2009-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92822]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山彻,永井洋希,佐藤仁,等. 半导体激光器装置. CN101582564A. 2009-11-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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