半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光源ユニット、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム
文献类型：专利
| 作者 | 上西 盛聖 |
| 发表日期 | 2008-06-12 |
| 专利号 | JP2008135596A |
| 著作权人 | RICOH CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光源ユニット、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
| 英文摘要 | 【課題】実装時の破損、及び外力による信頼性の低下が抑制された面発光型半導体レーザアレイを製造する。 【解決手段】複数の発光部23が形成されている領域の外側に、半導体積層体の基板側の面を底面としたときに、その高さが発光部の高さよりも高い平坦部15をポリイミドで形成する。これにより、VCSELアレイ100を回路基板に実装する際に、コレットが平坦部15内の位置に接触した状態で回路基板上に運搬され、回路基板上の所定位置に押し付けられても、力(応力)が発光部23に伝わることを抑制することができる。また、ポリイミドが収縮しても、発光部23に内部応力が生じることを抑制することができる。 【選択図】図6 |
| 公开日期 | 2008-06-12 |
| 申请日期 | 2006-11-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92834]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上西 盛聖. 半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光源ユニット、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム. JP2008135596A. 2008-06-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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