边发射的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 马克・施尔格雷安斯; 斯蒂芬・鲁特格恩; 尤伟・斯特劳斯 |
| 发表日期 | 2012-04-11 |
| 专利号 | CN102414944A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 边发射的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 提出了一种边发射的半导体激光器，具有半导体本体(10)，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2a)、第二波导层(2b)和设置在第一波导层(2a)和第二波导层(2b)之间的用于产生激光辐射(5)的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一覆盖层(1a)和第二覆盖层(1b)之间，所述第二覆盖层在半导体本体(10)的生长方向上设置在波导区域(4)之后。波导区域(4)具有400nm或者更小的厚度(d)，以及在平行于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角和在垂直于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角彼此相差小于3倍。 |
| 公开日期 | 2012-04-11 |
| 申请日期 | 2010-04-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92846]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马克・施尔格雷安斯,斯蒂芬・鲁特格恩,尤伟・斯特劳斯. 边发射的半导体激光器. CN102414944A. 2012-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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