半导体激光器的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村仁志; 阿部真司; 西口晴美 |
| 发表日期 | 2008-09-10 |
| 专利号 | CN101262119A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种能够在期望的位置上劈开晶片的半导体激光器的制造方法。在GaN晶片(11)上形成设置了多个脊部(13)的半导体层。在脊部(13)和划线标记(16)之间，与划线标记(16)在同一条直线上设置槽(19)。槽(19)相对于划线标记(16)设置在劈开方向的下流侧上。槽(19)成劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，优选该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与劈开方向成60度的方向平行。 |
| 公开日期 | 2008-09-10 |
| 申请日期 | 2008-02-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92882]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村仁志,阿部真司,西口晴美. 半导体激光器的制造方法. CN101262119A. 2008-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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