一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器
文献类型：专利
| 作者 | 汤学胜; 陈义宗; 钱坤; 胡毅; 曹薇; 焰烽; 马卫东 |
| 发表日期 | 2017-05-31 |
| 专利号 | CN106785882A |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器，其采用混合集成方案，使用低成本低损耗的硅基微环波导芯片作为外腔中波长调节单元，与III‑V族反射型半导体增益管芯通过两个准直透镜实现端面耦合，结构简单，克服了单片集成半导体激光器复杂的工艺限制，外腔中无活动部件，有效地提高了可靠性和稳定性。通过对硅基微环波导芯片结构的优化设计，大大降低了激光在硅基波导微环谐振腔中非线性光学效应产生机率，提高了该结构激光器允许输出的最大光功率。外腔准直光路中带通滤波器的加入，有效地降低了对硅基微环波导芯片的技术要求，可提高耦合封装的效率、适合于低成本批量生产。 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 申请日期 | 2016-11-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92909]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤学胜,陈义宗,钱坤,等. 一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器. CN106785882A. 2017-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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