面发射半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 汐先政贵; 前田修; 荒木田孝博; 佐藤进 |
| 发表日期 | 2011-07-27 |
| 专利号 | CN102136676A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面发射半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 面发射半导体激光器及其制造方法。面发射半导体激光器的制造方法包括如下步骤：形成堆叠结构，该堆叠结构在基板上依次具有包括至少一层下可氧化层的下多层膜反射器、具有发光区域的有源层、包括上可氧化层的上多层膜反射器以及上层；在该上层中提供第一凹槽；以及在该堆叠结构中提供第二凹槽，该第二凹槽包括平面形状与第一凹槽重叠的部分以及与第一凹槽不重叠的部分。 |
| 公开日期 | 2011-07-27 |
| 申请日期 | 2011-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92916]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汐先政贵,前田修,荒木田孝博,等. 面发射半导体激光器及其制造方法. CN102136676A. 2011-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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