半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 藤本毅; 室清文; 小矶武 |
| 发表日期 | 2003-04-02 |
| 专利号 | CN1407677A |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层25的至少一侧设具有活性层25的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层27，在光波导层27外侧设具有光波导层27的禁带宽度以上的禁带宽度的包层28，在光波导层27上，设经选择成长埋入的、具有带状窗R21的折射率控制层31的实际折射率波导型半导体激光元件中，折射率控制层31埋入光波导层27，在埋入的折射率控制层31上设先行选择成长的半导体层30，在包含半导体层30和折射率控制层31的叠层部分中，半导体层30的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层31的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。 |
| 公开日期 | 2003-04-02 |
| 申请日期 | 2002-08-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92918]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本毅,室清文,小矶武. 半导体激光元件. CN1407677A. 2003-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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