氮化物类半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西川学; 太田洁; 市桥由成 |
| 发表日期 | 2010-05-26 |
| 专利号 | CN101714743A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物类半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件及其制造方法。该氮化物类半导体激光元件，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有元件所需要的形状的电极层，该电极层包括：形成于氮化物类半导体层的与活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层。而且，第三金属层的厚度为第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 申请日期 | 2009-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92921]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川学,太田洁,市桥由成. 氮化物类半导体激光元件及其制造方法. CN101714743A. 2010-05-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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