面发光型半导体激光管及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 前田修; 汐先政贵; 山口典彦; 山内义则 |
| 发表日期 | 2009-06-24 |
| 专利号 | CN101467314A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面发光型半导体激光管及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种面发光型半导体激光管，其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20)，所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30)，该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。 |
| 公开日期 | 2009-06-24 |
| 申请日期 | 2007-06-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93000]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 前田修,汐先政贵,山口典彦,等. 面发光型半导体激光管及其制造方法. CN101467314A. 2009-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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