半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 塩本武弘; 孝桥生郎 |
| 发表日期 | 2000-11-15 |
| 专利号 | CN1273703A |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 半导体激光装置(100)具有直接或经底座搭载在散热块(2)上、出射波长不同的第一半导体激光元件(31)和第二半导体激光元件(32)。这些半导体激光元件各个出射光轴(A、B)相互大致平行。设第一半导体激光元件(31)的出射光轴(A)、和配置在半导体激光装置前方(半导体激光元件的前方出射端面侧)的聚光镜(71)的中心轴(O)之间的距离为d1,第二半导体激光元件(32)的出射光轴(B)和上述聚光镜的中心轴之间的距离为d2,并且上述第一及第二半导体激光元件的出射光轴间距为L,则第一及第二半导体激光元件(31、32)被搭载在散热块(2)上,使得满足关系式0≤L≤d1+d2≤160μm。 |
| 公开日期 | 2000-11-15 |
| 申请日期 | 1999-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93011]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塩本武弘,孝桥生郎. 半导体激光装置. CN1273703A. 2000-11-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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