半导体激光器及其制造工艺
文献类型：专利
| 作者 | 奥田哲朗 |
| 发表日期 | 2005-11-16 |
| 专利号 | CN1697271A |
| 著作权人 | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造工艺 |
| 英文摘要 | 提供了一种半导体激光器，包括：n－InP衬底(1)；在n－InP衬底(1)上包括应变MQW有源层(6)的多层膜；在多层膜上的p－电极(18)；在p－电极(18)的两边分隔开多层膜并延伸到n－InP衬底(1)的一对沟槽(15)；以及在衍射光栅形成面中从该对沟槽(15)中的一个到另一个的区域中形成的多个衍射光栅，该衍射光栅形成面形成在n－InP衬底(1)的上表面中或多层膜中的任一半导体膜的上表面中。 |
| 公开日期 | 2005-11-16 |
| 申请日期 | 2005-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93024]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田哲朗. 半导体激光器及其制造工艺. CN1697271A. 2005-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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