半导体激光器装置及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 玄永康一; 田中明; 伊藤义行; 渡边实; 奥田肇 |
| 发表日期 | 2003-03-19 |
| 专利号 | CN1404191A |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供的半导体激光器装置，具有：第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面，在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113)；由上述电流抑制层限制的电流，通过上述脊的上面，注入上述活性层，上述第1导电型及第2导电型的覆盖层，由组成大致相同的半导体构成，上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。 |
| 公开日期 | 2003-03-19 |
| 申请日期 | 2002-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93038]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玄永康一,田中明,伊藤义行,等. 半导体激光器装置及其制作方法. CN1404191A. 2003-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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