一种半导体激光器腔面钝化方法
文献类型：专利
| 作者 | 乔忠良; 薄报学; 高欣; 胡源; 么艳萍; 王玉霞; 刘春玲; 李辉; 卢鹏; 曲轶 |
| 发表日期 | 2009-03-25 |
| 专利号 | CN101394062A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器腔面钝化方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器腔面钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难度是大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种半导体激光器腔面钝化方法，有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性。该钝化方法先后采用氢离子和氮离子的反应离子清洗技术，在激光器解理腔面生成含有氮化物过渡层的无吸收区，之后在过渡层外加镀钝化阻挡层AlN膜，形成钝化膜后进行正常工艺镀膜。该技术方案可应用于各类半导体激光光源的制造。 |
| 公开日期 | 2009-03-25 |
| 申请日期 | 2008-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93057]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乔忠良,薄报学,高欣,等. 一种半导体激光器腔面钝化方法. CN101394062A. 2009-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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