面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 前田 修; 汐先 政貴; 荒木田 孝博 |
| 发表日期 | 2009-08-20 |
| 专利号 | JP2009188382A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】高次横モードの発振を抑制しつつ、基本横モードを高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】基板10上に、下部DBR層11、下部スペーサ層12、活性層13、上部スペーサ層14、電流狭窄層15、上部DBR層16およびコンタクト層17をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部18を構成する。メサ部18上面に形成された横モード調整部23において、2回回転対称または4回回転対称の4つのピークPを含む1次モードが生じる領域との対向領域のうち、電流注入領域15Bの中心点C1との対向領域を除く領域を間にして対向する2つのピークPに対応する特定領域23Dでの反射率R2が、電流注入領域15Bの中心点C1との対向領域を含む領域での反射率R1よりも低くなっている。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2009-08-20 |
| 申请日期 | 2008-11-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93058]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 前田 修,汐先 政貴,荒木田 孝博. 面発光型半導体レーザ. JP2009188382A. 2009-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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